Production of cdmnhgte single crystal



(57)【要約】 【課題】 低損失のCdMnHgTe単結晶を得るこ と。 【解決手段】 THM法を用いてCdMnHgTe単結 晶7を製造する際、出発材料として(Cd 1-x-y Mn x Hg y ) 1 Te 1+z の組成を有する多結晶ロット4と (Cd 1-u-v Mn u Hg v ) 1 Te 1+k の組成を有する 母材ロット5とが用いられ、zの範囲が0.05≦z≦ 0.5に規定され、kの範囲が1.5≦k≦4に規定さ れる。この際、多結晶ロット及び母材ロットはそれぞれ 高圧炉で処理された後急冷される。さらに、母材ロット の厚さは育成されるべき単結晶の径の1/2以上かつ2 倍以下の範囲とされ、THM法において用いられるヒー タの溶融帯幅は育成されるべき単結晶の径の1/4以上 かつ1倍以下の範囲とされる。また、単結晶の育成に用 いられる種結晶6は、その組成がCdTe、CdMnT e、又はCdMnHgTeであり、(111)方位が用 いられる。
PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain CdMnHgTe single crystal low in loss. SOLUTION: In this method for producing CdMnHgTe single crystal 7 by using THM method, a polycrystalline lot 4 having a composition of the formula (Cd1-x-y Mnx Hgy )1 Te1+z and a preform lot 5 having a composition of the formula (Cd1-u-v Mnu Hgv )1 Te1+k are used as starting raw materials. The range of (z) is defined by 0.05<=z<=0.5 and that of (k) by 1.5<=k<=4. In the operation, the polycrystalline lot and the preform lot are treated by a pressure furnace, respectively, and quenched. The thickness of the preform lot is adjusted to >=1/2 and <= twice the diameter of the single crystal to be grown. The melting zone width of a heater used in the THM method is regulated to >=1/4 and <=1 the diameter of the single crystal to be grown. A seed crystal 6 used for growing the single crystal has a composition of the formula CdTa, CdMnTe or CdMnHgTe and (111) orientation.




Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)


Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    CN-101871123-AOctober 27, 2010上海大学移动碲溶剂熔区法生长碲锌镉晶体的方法及装置