Support de substrat à élément de chauffage de substrat et retour rf symétrique

Substrate support with substrate heater and symmetric rf return

Abstract

Apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a substrate support includes a substrate support surface and a shaft; an RF electrode disposed in the substrate support proximate the substrate support surface to receive RF current from an RF source; a heater disposed proximate the substrate support surface to provide heat to a substrate when disposed on the substrate support surface, the heater having one or more conductive lines to provide power to the heater; a thermocouple to measure the temperature of a substrate when disposed on the substrate support surface; and a conductive element having an interior volume with the one or more conductive lines and the thermocouple disposed through the interior volume, the conductive element coupled to the RF electrode and having an electric field of about zero in the interior volume when RF current is provided to the conductive element.
La présente invention se rapporte à un appareil de traitement d'un substrat. dans certains modes de réalisation, un support de substrat comprend une surface de support de substrat et une tige ; une électrode RF disposée dans le support de substrat à proximité de la surface de support de substrat afin de recevoir un courant RF provenant d'une source RF ; un élément de chauffage disposé à proximité de la surface de support de substrat pour fournir de la chaleur à un substrat lorsqu'il est disposé sur la surface de support de substrat, l'élément de chauffage comportant une ou plusieurs lignes conductrices pour alimenter l'élément de chauffage ; un thermocouple pour mesurer la température d'un substrat lorsqu'il est disposé sur la surface de support de substrat ; et un élément conducteur ayant un volume intérieur doté de la ou des lignes conductrices et du thermocouple disposé dans le volume intérieur, l'élément conducteur étant couplé à l'électrode RF et ayant un champ électrique d'environ zéro dans le volume intérieur lorsqu'un courant RF est fourni à l'élément conducteur.

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